به گزارش دیده بان علم ایران یکی از سؤالاتی که تولیدکنندگان قطعات الکترونیک مطرح می‌کنند، این است که چه میزان می‌توان ترانزیستورهای روی یک مدار را کوچک‌سازی کرد. تاکنون براساس قانون مور، تعداد ترانزیستورهای روی هر تراشه، هر ۱۸ ماه دو برابر شده‌است. هر چند طی سال‌های اخیر به دلیل وجود محدودیت فیزیکی، این سرعت تا حدی کاهش یافته است. منشاء این محدودیت، اثرات تونل‌زنی کوانتومی است.
اخیراً یک تیم تحقیقاتی موفق به ارائه راهبردی برای تولید قطعات الکترونیک مثل ترانزیستور شده‌است که با استفاده از آن می‌توان با سرعت بالا و هزینه کم، ترانزیستورهای زیادی را روی یک تراشه ایجاد کرد.
این گروه از روش خودآرایی مستقیم (DSA) استفاده کردند که در آن از بلوک کوپلیمر برای خودآرایی استفاده می‌شود. ایده اصلی این است که شما با استفاده از لیتوگرافی، الگوی مورد نظر را ایجاد کرده و سپس با استفاده از کوپلیمر، سطح پوشش داده می‌شود. گرما موجب می‌شود تا کوپلیمر خودآرایی داده و الگوهای منظمی را ایجاد کند که قدرت تفکیک بالایی دارند.
محققان این پروژه از ویفر ژرمانیوم، اچ‌کردن پلاسما و لیتوگرافی پرتو الکترونی استفاده کردند تا در نهایت یک لایه نازک از گرافن را ایجاد کنند. سپس با روش پوشش‌دهی اسپینی، پلیمر PS-b-PMMA را روی سطح قرار دادند.
با گرم کردن ویفر در دمای ۲۵۰ درجه سانتیگراد، پلیمر به‌صورت کامل روی سطح در مدت ۱۰ دقیقه خودآرایی می‌دهد، در حالی که در روش‌های معمول این کار ۳۰ دقیقه به طول می‌انجامد. این راهبرد جدید، نقص‌های کمتری در تولید قطعات الکترونیک به دنبال داشته و قدرت تفکیک آن ۱۰ برابر بیشتر از روش‌های معمول است.
پاول نلی از محققان این پروژه می‌گوید: «این الگو می‌تواند جایگزین مناسبی برای روش‌های الگودهی رایج با پلیمر باشد. سینتیک این خودآرایی سریع‌تر بوده و الگوهای تیزتری ایجاد می‌کند.»
این روش می‌تواند برای تولید قطعات الکترونیک کامپیوتر استفاده شود. ژنکیانگ ما، از محققان این پروژه می‌گوید: «با استفاده از الگوی گرافن می‌توان کارهایی انجام داد که پیش از این امکان‌پذیر نبوده است. از این الگو برای خودآرایی پلیمر می‌توان استفاده کرد.»
نتایج این پروژه در نشریه Scientific Reports منتشر شده‌است.
به نقل از tnews